זיכרון Samsung DDR5 8G 4800 CL40 SODIMM
מק"ט: M425R1GB4BB0-CQK
141
₪
142 ₪
לא
זמין במלאי
תיאור כללי
DDR5 meets the demands of industries experiencing an enormous burst in data. A new level of speed, improved capacity, and bolstered reliability are packed into DDR5 to enhance overall system performance. Samsung's memory technology propels the next era of planet-friendly innovation with power-saving DDR5.
מדיניות החזרת מוצרים
החזרת סחורה הינה בכפוף לחוק הגנת הצרכן, בתוך 14 יום ממועד הרכישה בתנאי שאריזת המוצר המקורית הוחזרה במצב תקין ללא קרעים ושלא נעשה כל שימוש במוצר.
החזרת סחורה תחויב בחמישה אחוז דמי ביטול או במאה ₪ לפי הנמוך, לעסקאות במזומן. לעסקאות אשראי יתווספו עלויות סליקה וניכיון עבור חיוב זיכוי.
לאחר 14 יום החברה לא מחויבת לקבל החזרים, ועל פי שיקול דעתה הבלעדי יינתן זיכוי בלבד לרכישה בקיזוז 23% אחוז לכל הפחות ממחיר המוצר.
מחשבים נייחים שהוזמנו והורכבו לפי מפרט בחשבונית הלקוח או מחשבים ניידים עם שדרוגים, אינם נחשבים מוצרי מדף ולא ניתן להחזירם וזאת לפי החוק בנושא זה. על הלקוח לוודא כי הרכיבים, המערכת, המחשב, המוצר או שילובם מתאימים לדרישותיו ולמטרותיו, לשווי שהוצג וכד'.
מפרט
סוג זכרון
DDR5 SODIMM
גודל זיכרון (סה"כ RAM)
8GB
ערכת זיכרון
1x8Gb
מהירות זכרון
4800
זמן איחזור
CL40
מתח זיכרון
1.1V
סדרה
Value
אריזה
Bulk - בשקית
מידע
| DDR5 ushers in data-centric innovation DDR5 meets the demands of industries experiencing an enormous burst in data. A new level of speed, improved capacity, and bolstered reliability are packed into DDR5 to enhance overall system performance. Samsung's memory technology propels the next era of planet-friendly innovation with power-saving DDR5. |
![]() |
![]() |
Breathtaking speed for huge real-time data With exceptional transfer speeds of up to 7,200 Mbps, DDR5 effectively handles the ever-increasing demands of larger, more complex data workloads. DDR5 brings more than doubled increase in performance compared to DDR4, with double the burst length from 8 to 16, and double the banks from 16 to 32. The astonishing performance raises the ceiling on big data processing, while seamlessly handling 8K content. |
| Twice the capacity to fuel industry innovation Samsung's 10nm-class process and EUV technology enable chip units to leap from 16Gb to 32Gb. Doubling chip capacity means one module can provide up to 512GB, to fluidly handle huge simultaneous workloads, with scalability for future innovation. |
![]() |
![]() |
Robust reliability with a self-correcting solution ODECC (on-die error-correction code) technology applied in DDR5 helps maintain secure and stable data reliability, to fully leverage powerful performance. ODECC virtually eliminates single bit errors for enhanced reliability even with the strenuous demands of big data. |
| The energy-saving choice to sustain our planet DDR5 achieves 30% greater power efficiency than DDR4 through improved performance and power reduction. Replacing a data center's DDR4 with DDR5 saves power of up to 1TWh annually. The on-DIMM PMIC further boosts power management efficiency and power supply stability. It is the all-around sustainable choice for our environment. |
![]() |




